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ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)

簡(jiǎn)要描述:ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)
三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):SI 500
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-07-10
  • 訪  問  量:3446

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子/電池

ICP-RIE等離子刻蝕機(jī)

  低損傷刻蝕

      由于離子能量低,離子能量分布帶寬窄,因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕

高速刻蝕

對(duì)于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕,光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。

自主研發(fā)的ICP等離子源

三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

動(dòng)態(tài)溫度控制

在等離子體刻蝕過程中,襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對(duì)于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動(dòng)態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感,可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件。


SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供先進(jìn)的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備。它基于ICP等離子體源PTSA,動(dòng)態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng),使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的先進(jìn)的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),可以用于加工各種各樣的襯底,從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,并且切換工藝非常容易。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),通過配置可用于刻蝕不同材料,包括但不僅限于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb),介質(zhì),石英,玻璃,硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等。

SENTECH提供用戶不同級(jí)別的自動(dòng)化程度,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。

Laser end point monitoring by time-dependend measurement of reflection intensityEtching of SiC via holes using SF6 / O2 gas mixture, courtesy of IAP Freiburg, GermanyAlGaAs / GaAs quantum dotsICP etching of PZT ceramics using SiCl4 / Ar gas mixturePhC in SiO2 and Si3N4, courtesy of FSU Jena, Germany20?nm SiGe nano wire, courtesy of Ruhr University Bochum, GermanyEtching of micro lenses in quartzEtching of MCT using CH4 / H2 / N2 gas mixtureStamps for nanoimprint lithography in SiO2, courtesy of FSU Jena, GermanyEtching of GaN using Cl2 / BCl3 / Ar gas mixtureEtching of GaAs via holes using Cl2 / BCl3 / Ar gas mixtureDeep etching of GaAs using SiCl4 / O2 / Ar gas mixtureCryogenic etching of silicon, courtesy of TU Braunschweig, GermanyCryogenic etching of silicon with SF6 / O2 at -100°C, courtesy of IAP Jena, GermanyICP-RIE etching of BiSbTeSe with CH4 / Ar gas mixtureRIE plasma etcher SI 500 RIE for He backside cooled etchingICP plasma etcher for 300 mm wafersSENTECH control software for plasma equipment1



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